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DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMN1019UFDE-7 编带

表面贴装型 N 通道 12 V 11A(Ta) 690mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)


得捷:
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E


立创商城:
N沟道 12V 11A


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R; 3K


艾睿:
Thanks to Diodes Zetex, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the DMN1019UFDE-7 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 2170 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET, N Channel, Trans, 12V 11A DFN6 EP


安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 11A Automotive 6-Pin DFN EP T/R


儒卓力:
**N-CH.MOS 11A 12V U-DFN2020-6 **


Win Source:
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E


DeviceMart:
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E


DMN1019UFDE-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 10 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 690 mW

阈值电压 0.8 V

输入电容 2425 pF

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 22.2 ns

输入电容Ciss 2425pF @10VVds

额定功率Max 690 mW

下降时间 16.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2170 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMN1019UFDE-7引脚图与封装图
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