DMNH10H028SPSQ-13

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

N-Channel 100V 40A Tc 1.6W Ta Surface Mount PowerDI5060-8

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DMNH10H028SPSQ-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.9 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 5.8 ns

输入电容Ciss 2245pF @50VVds

下降时间 4.8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-5060-8

外形尺寸

封装 PowerDI-5060-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMNH10H028SPSQ-13引脚图与封装图

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