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DMN601DWK-7

DMN601DWK-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMN601DWK-7 编带

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 305mA 200mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363


立创商城:
2个N沟道 60V 305mA


贸泽:
MOSFET Dual N-Channel


e络盟:
DIODES INC.  DMN601DWK-7  双路场效应管, MOSFET, 双路, 双N沟道, 305 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 1.6 V


艾睿:
This DMN601DWK-7 power MOSFET from Diodes Zetex can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 200 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363


DeviceMart:
MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363


DMN601DWK-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 305 mA

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 2 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 200 mW

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 305 mA

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 200 mW

下降时间 9.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

DMN601DWK-7引脚图与封装图
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在线购买DMN601DWK-7
型号 制造商 描述 购买
DMN601DWK-7 Diodes 美台 DMN601DWK-7 编带 搜索库存
替代型号DMN601DWK-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMN601DWK-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-363 Dual N-Channel 60V 305mA

当前型号

DMN601DWK-7 编带

当前型号

型号: DMN601DMK-7

品牌: 美台

封装: SOT-26 60V 305mA

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DMN601DWK-7和DMN601DMK-7的区别

型号: DMN601VK-7

品牌: 美台

封装: SOT-563 60V 305mA

类似代替

DMN601VK-7 编带

DMN601DWK-7和DMN601VK-7的区别

型号: PMGD780SN,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-363 N-Channel 60V 490mA

功能相似

NXP  PMGD780SN,115  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V

DMN601DWK-7和PMGD780SN,115的区别