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DMN5L06DWK-7

DMN5L06DWK-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

2个N沟道,Vdss=50V,Idss=305mA

是一款双N沟道增强型MOSFET, 1V低导通电阻。具有非常低的栅极阈值电压和低输入电容。

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快速开关速度
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低输入/输出泄漏
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超小型表面安装封装
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无卤素, 绿色设备
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UL94V-0 阻燃等级
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符合AEC-Q101标准, 高可靠性
DMN5L06DWK-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 305 mA

针脚数 6

漏源极电阻 2 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 1 V

输入电容 50 pF

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 305 mA

上升时间 1.8 ns

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 250 mW

下降时间 8.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.15 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

DMN5L06DWK-7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DMN5L06DWK-7 Diodes 美台 2个N沟道,Vdss=50V,Idss=305mA 搜索库存
替代型号DMN5L06DWK-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMN5L06DWK-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-363 Dual N-Channel 50V 305mA 50pF

当前型号

2个N沟道,Vdss=50V,Idss=305mA

当前型号

型号: DMN5L06DW-7

品牌: 美台

封装: SOT-363 N-CH 50V 280mA 50pF

类似代替

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363

DMN5L06DWK-7和DMN5L06DW-7的区别