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DMG1013UW-7

DMG1013UW-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

P沟道,Vdss=20V,Idss=820mA

表面贴装型 P 通道 20 V 820mA(Ta) 310mW(Ta) SOT-323


得捷:
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323


立创商城:
P沟道 20V 820mA


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Allied Electronics:
MOSFET P-Channel 20V 0.82A SOT323


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A 3-Pin SOT-323 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMG1013UW-7  MOSFET, P CH, -20V, SOT-323


儒卓力:
**P-CH-FET+ESD 20V 0,82A SOT323 **


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323


DMG1013UW-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.5 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 310 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.82A

上升时间 8.1 ns

输入电容Ciss 59.76pF @16VVds

额定功率Max 310 mW

下降时间 20.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMG1013UW-7引脚图与封装图
DMG1013UW-7引脚图

DMG1013UW-7引脚图

DMG1013UW-7封装焊盘图

DMG1013UW-7封装焊盘图

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