DMG1013UWQ-7

Diodes(美台) 分立器件

晶体管, MOSFET, P沟道, -820 mA, -20 V, 0.5 ohm, -4.5 V, -1 V

P-Channel 20V 820mA Ta 310mW Ta Surface Mount SOT-323

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P沟道 20V 820mA

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MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

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MOSFET MOSFET BVDSS:

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Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

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Trans MOSFET P-CH 20V 0.82A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

DMG1013UWQ-7中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.5 Ω

耗散功率 310 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 8.1 ns

输入电容Ciss 59.76pF @16VVds

下降时间 20.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMG1013UWQ-7引脚图与封装图

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