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DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

N-Channel 30V 10A Ta 730mW Ta Surface Mount U-DFN2020-6 Type E


得捷:
MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6


贸泽:
MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R


DMN3016LFDE-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 16 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2.02 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 16.5 ns

输入电容Ciss 1415pF @15VVds

额定功率Max 730 mW

下降时间 5.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 730mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN2020-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.6 mm

封装 UDFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN3016LFDE-13引脚图与封装图
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