DMN13H750S-7

Diodes(美台) 分立器件

DMN13H750S-7 编带

MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

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**N-CH MOS-FET 1A 130V SOT23 **

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MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

DMN13H750S-7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.26 W

漏源极电压Vds 130 V

连续漏极电流Ids 1A

上升时间 1.7 ns

输入电容Ciss 231pF @25VVds

额定功率Max 770 mW

下降时间 1.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 770mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMN13H750S-7引脚图与封装图

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