DMN53D0U-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-CH
耗散功率 520 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50 V
连续漏极电流Ids 0.3A
上升时间 2.8 ns
输入电容Ciss 37.1pF @25VVds
额定功率Max 520 mW
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 520mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN53D0U-13引脚图
DMN53D0U-13封装图
DMN53D0U-13封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN53D0U-13 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |