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DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

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Diodes(美台) 分立器件

DMN3065LW-7 编带

As an alternative to traditional transistors, the power MOSFET from Zetex can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 770 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

DMN3065LW-7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.052 Ω

极性 N-CH

耗散功率 770 mW

阈值电压 1.5 V

输入电容 465 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 1.6 ns

输入电容Ciss 465pF @15VVds

额定功率Max 770 mW

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 770mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.2 mm

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN3065LW-7引脚图与封装图
DMN3065LW-7引脚图

DMN3065LW-7引脚图

DMN3065LW-7封装图

DMN3065LW-7封装图

DMN3065LW-7封装焊盘图

DMN3065LW-7封装焊盘图

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