DMTH4007SPSQ-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 7.6 mΩ
耗散功率 136 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 11.5 ns
输入电容Ciss 2082pF @25VVds
下降时间 8.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 136W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-5060-8
封装 PowerDI-5060-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMTH4007SPSQ-13 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 40V 15.7A T/R | 搜索库存 |