DMP2006UFG-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 P-CH
耗散功率 2.3W Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 17.5A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 7500pF @10VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 104 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
封装 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMP2006UFG-13 | Diodes 美台 | MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64NC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMP2006UFG-13 品牌: Diodes 美台 封装: PowerDI3333-8 P-CH 20V 17.5A | 当前型号 | MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64NC | 当前型号 | |
型号: DMP2006UFG-7 品牌: 美台 封装: PowerDI3333-8 P-CH 20V 17.5A | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH -20V -17.5A 8Pin PowerDI T/R | DMP2006UFG-13和DMP2006UFG-7的区别 |