DMP2010UFG-13

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET P-CH 20V 12.7A

表面贴装型 P 通道 12.7A（Ta），42A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8

得捷:
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333

贸泽:
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm

艾睿:
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMP2010UFG-13中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 12.5 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 900 mW

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 3350pF @10VVds

下降时间 110 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 900mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-3333-8

外形尺寸

封装 PowerDI-3333-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMP2010UFG-13引脚图与封装图

暂无图片

在线购买DMP2010UFG-13

型号	制造商	描述	购买
DMP2010UFG-13	Diodes 美台	MOSFET P-CH 20V 12.7A	搜索库存