DDA143TH-7

Diodes(美台) 分立器件

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-563 T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563

得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 4.7K

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

安富利:
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R

DDA143TH-7中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DDA143TH-7引脚图与封装图

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在线购买DDA143TH-7

型号	制造商	描述	购买
DDA143TH-7	Diodes 美台	Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-563 T/R	搜索库存

替代型号DDA143TH-7

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DDA143TH-7 品牌： Diodes 美台封装： SOT-563 PNP 150mW	当前型号	Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-563 T/R	当前型号
型号： NSBA143TDXV6T1 品牌：安森美封装： SOT-563 PNP -50V -100mA 500mW	功能相似	SOT-563 PNP 50V 100mA	DDA143TH-7和NSBA143TDXV6T1的区别
型号： NSBA143EDXV6T1 品牌：安森美封装： SOT-563 PNP -50V -100mA	功能相似	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP	DDA143TH-7和NSBA143EDXV6T1的区别
型号： NSBA143EDXV6T1G 品牌：安森美封装： SOT-563 PNP -50V -100mA 500mW	功能相似	SOT-563 PNP 50V 100mA	DDA143TH-7和NSBA143EDXV6T1G的区别