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DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W1/2W 70A

N-Channel 30V 12A Ta 800mW Ta Surface Mount U-DFN2020-6 Type F


得捷:
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN


贸泽:
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin UDFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin UDFN2020 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin UDFN EP T/R


DMT3008LFDF-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 10 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 800 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 1.7 ns

输入电容Ciss 886pF @15VVds

下降时间 3.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN2020-6

外形尺寸

封装 UDFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMT3008LFDF-7引脚图与封装图
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在线购买DMT3008LFDF-7
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DMT3008LFDF-7 Diodes 美台 MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W1/2W 70A 搜索库存