DMNH4006SK3-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMNH4006SK3-13中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.2 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 9.3 ns
输入电容Ciss 2280pF @25VVds
下降时间 8.1 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.58 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.29 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMNH4006SK3-13引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| DMNH4006SK3-13 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 40V 18A TO252 | 搜索库存 |