DMP3008SFGQ-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 P-CH
耗散功率 2.2 W
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 2230pF @15VVds
耗散功率Max 900mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
封装 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMP3008SFGQ-13 | Diodes 美台 | MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMP3008SFGQ-13 品牌: Diodes 美台 封装: PowerDI3333-8 P-CH 30V | 当前型号 | MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 | 当前型号 | |
型号: DMP3008SFGQ-7 品牌: 美台 封装: PowerDI3333-8 P-CH 30V | 类似代替 | MOSFET 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A | DMP3008SFGQ-13和DMP3008SFGQ-7的区别 |