DMN33D8LT-13

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET N-CH 30V 0.115A

N-Channel 30V 115mA Ta 240mW Ta Surface Mount SOT-523

得捷:
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523

贸泽:
MOSFET 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.115A T/R

安富利:
2N7002 FAMILY SOT523 T&R; 10K

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.115A T/R

DMN33D8LT-13中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 N-CH

耗散功率 0.24 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 0.115A

上升时间 2.6 ns

输入电容Ciss 48pF @5VVds

下降时间 13.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 240mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN33D8LT-13引脚图与封装图

暂无图片

在线购买DMN33D8LT-13

型号	制造商	描述	购买
DMN33D8LT-13	Diodes 美台	MOSFET N-CH 30V 0.115A	搜索库存