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DMP3160L-7

DMP3160L-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

P 沟道 30 V 190 mΩ 1.08 W 8.2 nC 表面贴装 功率 MosFet - SOT-23

P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23


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MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3


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P沟道 30V 2.7A


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MOSFET P-Channel 1.08W


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Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


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P-Channel Enhancement MOSFET SOT-23


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P Channel 30 V 190 mΩ 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23


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**P-CH MOS-FET 2,7A 30V SOT23 **


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MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3


DMP3160L-7中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.08 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.7A

上升时间 7.3 ns

输入电容Ciss 227pF @10VVds

额定功率Max 1.08 W

下降时间 13.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.08W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMP3160L-7引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DMP3160L-7
型号 制造商 描述 购买
DMP3160L-7 Diodes 美台 P 沟道 30 V 190 mΩ 1.08 W 8.2 nC 表面贴装 功率 MosFet - SOT-23 搜索库存
替代型号DMP3160L-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DMP3160L-7

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-23 P-CH 30V 2.7A

当前型号

P 沟道 30 V 190 mΩ 1.08 W 8.2 nC 表面贴装 功率 MosFet - SOT-23

当前型号

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