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DMN6068SE-13

DMN6068SE-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 60 V 4.1A(Ta) 2W(Ta) SOT-223


立创商城:
N沟道 60V 4.1A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 60V 5.6A SOT223


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


儒卓力:
**N-CHAN.MOS-FET 5,6A 60V SOT223 **


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223


DMN6068SE-13中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.068 Ω

极性 N-CH

耗散功率 3.7 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 5.6A

上升时间 10.8 ns

输入电容Ciss 502pF @30VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 8.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMN6068SE-13引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DMN6068SE-13
型号 制造商 描述 购买
DMN6068SE-13 Diodes 美台 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号DMN6068SE-13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMN6068SE-13

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-223 N-CH 60V 5.6A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 60 V, 0.068 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: AUIRLL024NTR

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 55V 4.4A

功能相似

INFINEON  AUIRLL024NTR  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 1 V

DMN6068SE-13和AUIRLL024NTR的区别

型号: DMN6068SEQ-13

品牌: 美台

封装: SOT-223 N-CH 60V 5.6A

功能相似

FETs - Single

DMN6068SE-13和DMN6068SEQ-13的区别