DMS3014SSS-13

Diodes(美台) 分立器件

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE

表面贴装型 N 通道 10.4A（Ta） 1.55W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.4A Automotive 8-Pin SO T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.4A 8-Pin SO T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO

DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 11A SO8

DMS3014SSS-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1.55W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10.4A

上升时间 24.4 ns

输入电容Ciss 2296pF @15VVds

额定功率Max 1.55 W

下降时间 6.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.55W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMS3014SSS-13引脚图与封装图

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