锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

DMP1022UFDE-7

DMP1022UFDE-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

P沟道 12V 9.1A

Single P-Channel 12 V 160 mOhm 38 nC 0.66 W Silicon SMT Mosfet - UDFN-6


得捷:
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN


立创商城:
P沟道 12V 9.1A


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this DMP1022UFDE-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 2030 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET, P Channel, Trans, 12V 9.1A UDFN6 EP


安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 9.1A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN


DMP1022UFDE-7中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2.03 W

输入电容 2953 pF

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 9.1A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 2953pF @4VVds

额定功率Max 660 mW

下降时间 93 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 660mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN-6

外形尺寸

长度 2.05 mm

封装 UDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMP1022UFDE-7引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DMP1022UFDE-7
型号 制造商 描述 购买
DMP1022UFDE-7 Diodes 美台 P沟道 12V 9.1A 搜索库存