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DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMN65D8L-7 编带

表面贴装型 N 通道 60 V 310mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23


立创商城:
N沟道 60V 310mA


贸泽:
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 310 mA, 2 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Thanks to Diodes Zetex, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the DMN65D8L-7 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 540 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMN65D8L-7  MOSFET, N-CH, 20V, SOT-23-3


儒卓力:
**N-CH MOS-FET+ESD 0,3A 60V SOT23 **


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23


DMN65D8L-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 370 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 0.31A

上升时间 2.8 ns

输入电容Ciss 22pF @25VVds

额定功率Max 370 mW

下降时间 7.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 540 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMN65D8L-7引脚图与封装图
DMN65D8L-7引脚图

DMN65D8L-7引脚图

DMN65D8L-7封装图

DMN65D8L-7封装图

DMN65D8L-7封装焊盘图

DMN65D8L-7封装焊盘图

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