DMN10H170SFDE-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN10H170SFDE-13中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 660mW Ta
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 2.9A
上升时间 11.1 ns
输入电容Ciss 1167pF @25VVds
下降时间 12.8 ns
耗散功率Max 660mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 UDFN2020-6
外形尺寸
封装 UDFN2020-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN10H170SFDE-13引脚图与封装图
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在线购买DMN10H170SFDE-13
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN10H170SFDE-13 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | 搜索库存 |
替代型号DMN10H170SFDE-13
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN10H170SFDE-13 品牌： Diodes 美台 封装： U-DFN2020-6 N-CH 100V 2.9A | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | 当前型号 |
| 型号： DMN10H170SFDE-7 品牌： 美台 封装： U-DFN2020-6 N-CH 100V 2.9A | 类似代替 | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | DMN10H170SFDE-13和DMN10H170SFDE-7的区别 |