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DMN5L06DMK-7

DMN5L06DMK-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

N 沟道 50 V 2.5 Ω 400 mW MosFet 表面贴装 - SOT-26

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 50V 305mA 400mW 表面贴装型 SOT-26


得捷:
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26


立创商城:
2个N沟道 50V 305mA 停产


艾睿:
This DMN5L06DMK-7 power MOSFET from Diodes Zetex can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 400 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
Dual N-Channel Enhancement FET SOT-26


安富利:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-26 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-26 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R


DeviceMart:
MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-26


Win Source:
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26


DMN5L06DMK-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 305 mA

极性 N-CH

耗散功率 0.4 W

输入电容 50.0 pF

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 305 mA

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN5L06DMK-7引脚图与封装图
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DMN5L06DMK-7 Diodes 美台 N 沟道 50 V 2.5 Ω 400 mW MosFet 表面贴装 - SOT-26 搜索库存