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DMC2990UDJ-7

DMC2990UDJ-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMC2990 系列 20 V 990 mOhm N 和 P-沟道 增强型 Mosfet - SOT963

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 450mA,310mA 350mW 表面贴装型 SOT-963


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V SOT963


立创商城:
DMC2990UDJ-7


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMC2990UDJ-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 350 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
Complem. Pair Enhancement MOSFET SOT-963


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.45A/0.31A 6-Pin SOT-963 T/R


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.35/-0.24A; 0.35W


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.45A/0.31A Automotive 6-Pin SOT-963 T/R


儒卓力:
**N+P 20V 450/310mA 990mOhm SOT96 **


Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V SOT963


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V 450/310 SOT963


DMC2990UDJ-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.35 W

极性 N+P

耗散功率 0.35 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.45A/0.31A

输入电容Ciss 27.6pF @15VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-963-6

外形尺寸

长度 1.05 mm

封装 SOT-963-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMC2990UDJ-7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DMC2990UDJ-7 Diodes 美台 DMC2990 系列 20 V 990 mOhm N 和 P-沟道 增强型 Mosfet - SOT963 搜索库存