DMN2400UFDQ-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN2400UFDQ-7中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 400mW Ta
阈值电压 450 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 7.28 ns
输入电容Ciss 37pF @16VVds
下降时间 10.54 ns
封装参数
封装 UDFN1212-3
外形尺寸
封装 UDFN1212-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN2400UFDQ-7引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN2400UFDQ-7 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3 | 搜索库存 |