DMP10H400SEQ-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 P-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 14.9 ns
输入电容Ciss 1239pF @25VVds
下降时间 34.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 13.7W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMP10H400SEQ-13引脚图
DMP10H400SEQ-13封装图
DMP10H400SEQ-13封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMP10H400SEQ-13 | Diodes 美台 | MOSFET 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A | 搜索库存 |