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DMN3110S-7

DMN3110S-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

N沟道 30V 2.5A

N-Channel 30V 2.5A Ta 740mW Ta Surface Mount SOT-23


得捷:
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23


立创商城:
N沟道 30V 2.5A


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this DMN3110S-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 1800 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23


DMN3110S-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 1.8 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.3A

上升时间 4.6 ns

输入电容Ciss 305.8pF @15VVds

额定功率Max 740 mW

下降时间 2.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN3110S-7引脚图与封装图
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