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DP0150BLP4-7B

DP0150BLP4-7B

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K

Bipolar BJT Transistor PNP 50V 100mA 80MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3


得捷:
TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006H4-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-H4 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R


Win Source:
TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006H4-3


DeviceMart:
TRANS PNP 50V 100MA DFN1006H4-3


DP0150BLP4-7B中文资料参数规格
技术参数

频率 80 MHz

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V

额定功率Max 450 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XFDFN-3

外形尺寸

封装 XFDFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DP0150BLP4-7B引脚图与封装图
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DP0150BLP4-7B Diodes 美台 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K 搜索库存