DMN2028UFDF-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 660mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 87 ns
输入电容Ciss 907pF @10VVds
下降时间 239 ns
耗散功率Max 660mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 UDFN2020-6
封装 UDFN2020-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN2028UFDF-7 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6 | 搜索库存 |