DMN10H220L-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 1.3 W
输入电容 401 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 1.6A
上升时间 8.2 ns
输入电容Ciss 401pF @25VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 3.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN10H220L-13引脚图
DMN10H220L-13封装图
DMN10H220L-13封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN10H220L-13 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DMN10H220L-13 品牌: Diodes 美台 封装: SOT-23 N-CH 100V 1.6A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 | |
型号: DMN10H220L-7 品牌: 美台 封装: SOT-23 N-CH 100V 1.6A | 完全替代 | DMN10H220L-7 编带 | DMN10H220L-13和DMN10H220L-7的区别 |