DMG302PU-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMG302PU-13中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 320mW Ta
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 0.17A
上升时间 2.3 ns
输入电容Ciss 27.2pF @10VVds
额定功率Max 330 mW
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 450 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMG302PU-13引脚图与封装图 
DMG302PU-13引脚图
DMG302PU-13封装图
DMG302PU-13封装焊盘图
在线购买DMG302PU-13
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMG302PU-13 | Diodes 美台 | MOSFET P-CH 25V 0.17A SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号DMG302PU-13
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMG302PU-13 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-23 P-CH 25V 0.17A | 当前型号 | MOSFET P-CH 25V 0.17A SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： DMG302PU-7 品牌： 美台 封装： SOT-23 P-CH 25V 0.17A | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3Pin SOT-23 T/R | DMG302PU-13和DMG302PU-7的区别 |