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DMN100-7-F

DMN100-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMN100-7-F 编带

表面贴装型 N 通道 30 V 1.1A(Ta) 500mW(Ta) SC-59-3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3


立创商城:
N沟道 30V 1.1A


贸泽:
MOSFET N-Channel


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 30 V, 0.24 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
This DMN100-7-F power MOSFET from Diodes Zetex can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 30V 1.1A SC-59


富昌:
DMN100 系列 N 沟道 30 V 240 mOhm MosFet 表面贴装 - SC-59-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMN100-7-F  MOSFET Transistor, N Channel, 1.1 A, 30 V, 240 mohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3


DMN100-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.10 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.24 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.10 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 150pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-59-3

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.3 mm

封装 SC-59-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

DMN100-7-F引脚图与封装图
DMN100-7-F引脚图

DMN100-7-F引脚图

DMN100-7-F封装焊盘图

DMN100-7-F封装焊盘图

在线购买DMN100-7-F
型号 制造商 描述 购买
DMN100-7-F Diodes 美台 DMN100-7-F 编带 搜索库存
替代型号DMN100-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMN100-7-F

品牌: Diodes 美台

封装: SC-59-3 N-Channel 30V 1.1A

当前型号

DMN100-7-F 编带

当前型号

型号: DMN100-7

品牌: 美台

封装: SC-59 N-CH 30V 1.1A

功能相似

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

DMN100-7-F和DMN100-7的区别

型号: PMZ390UN

品牌: 安世

封装:

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