DMT10H015LSS-13

Diodes(美台) 分立器件

N沟道 100V 8.3A

表面贴装型 N 通道 100 V 8.3A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

立创商城:
N沟道 100V 8.3A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A Automotive 8-Pin SO T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R

DMT10H015LSS-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.67 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 8.3A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1871pF @50VVds

下降时间 8.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1670 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMT10H015LSS-13引脚图与封装图

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