锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

DCP52-16-13

DCP52-16-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT PNP 60V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

Zetex has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

DCP52-16-13中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DCP52-16-13引脚图与封装图
DCP52-16-13引脚图

DCP52-16-13引脚图

DCP52-16-13封装图

DCP52-16-13封装图

DCP52-16-13封装焊盘图

DCP52-16-13封装焊盘图

在线购买DCP52-16-13
型号 制造商 描述 购买
DCP52-16-13 Diodes 美台 Trans GP BJT PNP 60V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R 搜索库存
替代型号DCP52-16-13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DCP52-16-13

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-223 PNP 2000mW

当前型号

Trans GP BJT PNP 60V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

当前型号

型号: BCP5216TA

品牌: 美台

封装: SOT-223 2000mW

类似代替

三极管

DCP52-16-13和BCP5216TA的区别

型号: BCP52-16@115

品牌: 恩智浦

封装: PNP

功能相似

BCP52-16@115

DCP52-16-13和BCP52-16@115的区别