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DGD2110S16-13

DGD2110S16-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 主动器件

DIODES INC.  DGD2110S16-13  MOSFET/IGBT DRIV, LOW/HIGH SIDE, SOIC-16 新

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 16-SO


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DGD2110S16-13中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V min

上升/下降时间 15ns, 13ns

输出接口数 2

针脚数 16

耗散功率 1250 mW

静态电流 56 µA

上升时间 15 ns

下降时间 13 ns

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1250 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

高度 2.34 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

DGD2110S16-13引脚图与封装图
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