DMJ70H1D3SJ3
Diodes(美台)
分立器件
DMJ70H1D3SJ3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 41W Tc
漏源极电压Vds 700 V
连续漏极电流Ids 4.6A
输入电容Ciss 351pF @50VVds
耗散功率Max 41W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 155℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMJ70H1D3SJ3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DMJ70H1D3SJ3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMJ70H1D3SJ3 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH TO251 | 搜索库存 |