DMTH6010LPSQ-13

Diodes(美台) 分立器件

N沟道 60V 13.5A

N-Channel 60V 13.5A Ta, 100A Tc 2.6W Ta, 136W Tc Surface Mount PowerDI5060-8

得捷:
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060

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MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

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Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R

DMTH6010LPSQ-13中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.6 W

输入电容 2090 pF

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 13.5A

上升时间 4.3 ns

输入电容Ciss 2090pF @30VVds

下降时间 9.7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.6W Ta, 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-5060-8

外形尺寸

长度 5.15 mm

封装 PowerDI-5060-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMTH6010LPSQ-13引脚图与封装图

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