DMN62D1SFB-7B

Diodes(美台) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3Pin DFN T/R

表面贴装型 N 通道 410mA（Ta） 470mW（Ta） 3-X1DFN1006

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MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN

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DMN62D1SFB-7B中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 470 mW

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.41A

上升时间 4.93 ns

输入电容Ciss 80pF @40VVds

下降时间 11.96 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 470mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN1006-3

外形尺寸

封装 DFN1006-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN62D1SFB-7B引脚图与封装图

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