DMN2005UFG-7

Diodes(美台) 分立器件

N沟道 20V 18.1A

N-Channel 20V 18.1A Tc 1.05W Ta Surface Mount PowerDI3333-8

得捷:
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333

立创商城:
N沟道 20V 18.1A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 18A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R

安富利:
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

儒卓力:
**N-CH 20V 18,1A@4,5V POWERDI **

DMN2005UFG-7中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2270 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 18.1A

上升时间 25.7 ns

输入电容Ciss 6495pF @10VVds

额定功率Max 1.05 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2270 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-3333-8

外形尺寸

封装 PowerDI-3333-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN2005UFG-7引脚图与封装图

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