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DZT3150-13

DZT3150-13

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Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 25V 5A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

DZT3150-13中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 NPN

耗散功率 1 W

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DZT3150-13引脚图与封装图
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DZT3150-13 Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 25V 5A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R 搜索库存