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DNLS350E-13

DNLS350E-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DNLS350E-13 编带

- 双极 BJT - 单 NPN 50 V 3 A 100MHz 1 W 表面贴装型 SOT-223-3


得捷:
TRANS NPN 50V 3A SOT223-3


立创商城:
NPN 50V 3A


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 1W


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 3A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Allied Electronics:
Low VCEsat NPN Transistor SOT-223


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 3000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS NPN 50V 3A SOT-223


DeviceMart:
TRANS NPN BIPO 50V 3A SOT-223


DNLS350E-13中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定功率 1 W

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V

最大电流放大倍数hFE 200 @0.5A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DNLS350E-13引脚图与封装图
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在线购买DNLS350E-13
型号 制造商 描述 购买
DNLS350E-13 Diodes 美台 DNLS350E-13 编带 搜索库存
替代型号DNLS350E-13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DNLS350E-13

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-223 NPN 3000mW

当前型号

DNLS350E-13 编带

当前型号

型号： PBSS4350Z,135

品牌： 安世

封装： SOT-223

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DNLS350E-13和PBSS4350Z,135的区别

型号： BDP947

品牌： 英飞凌

封装： SOT-223 NPN

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