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DNLS160V-7

DNLS160V-7

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Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 60V 1A 300mW Automotive 6Pin SOT-563 T/R

Compared to other transistors, the NPN general purpose bipolar junction transistor, developed by Zetex, can offer a high-voltage solution in your circuit. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

DNLS160V-7中文资料参数规格
技术参数

频率 270 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DNLS160V-7引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DNLS160V-7 Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 60V 1A 300mW Automotive 6Pin SOT-563 T/R 搜索库存
替代型号DNLS160V-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DNLS160V-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-563 NPN 300mW

当前型号

Trans GP BJT NPN 60V 1A 300mW Automotive 6Pin SOT-563 T/R

当前型号

型号: DSS4160V-7

品牌: 美台

封装: SOT-563 NPN 600mW

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