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DXT458P5-13

DXT458P5-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW Automotive 3Pin3+Tab PowerDI 5 T/R

- 双极 BJT - 单 NPN 50MHz 表面贴装型 PowerDI™ 5


立创商城:
NPN 400V 300mA


得捷:
TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA


艾睿:
Use this versatile NPN DXT458P5-13 GP BJT from Diodes Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2800 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 400 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
NPN High Voltage Transistor PowerDI5


安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 3-Pin2+Tab PowerDI 5 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin3+Tab PowerDI 5 T/R


儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 400V 0,3A PDI5 **


DeviceMart:
TRANS NPN 400V 300MA POWERDI5


Win Source:
TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5


DXT458P5-13中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

极性 NPN

耗散功率 2.8 W

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V

额定功率Max 2.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 POWERDI-5

外形尺寸

封装 POWERDI-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DXT458P5-13引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DXT458P5-13 Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW Automotive 3Pin3+Tab PowerDI 5 T/R 搜索库存