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DSS60601MZ4-13

DSS60601MZ4-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DSS60601MZ4-13 编带

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

DSS60601MZ4-13中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 120 @1A, 2V

额定功率Max 1.2 W

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DSS60601MZ4-13引脚图与封装图
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在线购买DSS60601MZ4-13
型号 制造商 描述 购买
DSS60601MZ4-13 Diodes 美台 DSS60601MZ4-13 编带 搜索库存
替代型号DSS60601MZ4-13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DSS60601MZ4-13

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-223 NPN 1200mW

当前型号

DSS60601MZ4-13 编带

当前型号

型号: NSS60601MZ4T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-223 NPN 2000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NSS60601MZ4T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE

DSS60601MZ4-13和NSS60601MZ4T1G的区别