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DXTP560BP5-13

DXTP560BP5-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500

- 双极 BJT - 单 PNP 500 V 150 mA 60MHz 2.8 W 表面贴装型 PowerDI™ 5


立创商城:
PNP 500V 150mA


得捷:
TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500


艾睿:
If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the PNP DXTP560BP5-13 BJT, developed by Diodes Zetex, is for you. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 2800 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 500 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.


安富利:
Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 3-Pin2+Tab PowerDI 5 T/R


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Trans GP BJT PNP 500V 0.15A Automotive 3-Pin2+Tab PowerDI 5 T/R


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**PNP TRANSISTOR 500V 0,15A PDI5 **


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TRANS PNP 500V POWERDI5


Win Source:
TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5


DXTP560BP5-13中文资料参数规格
技术参数

频率 60 MHz

极性 PNP

耗散功率 2.8 W

击穿电压集电极-发射极 500 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 80 @50mA, 10V

额定功率Max 2.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 POWERDI-5

外形尺寸

封装 POWERDI-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DXTP560BP5-13引脚图与封装图
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