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DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

表面贴装型 N 通道 30 V 550mA(Ta) 390mW(Ta) X2-DFN0806-3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this DMN3900UFA-7B power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 490 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.65A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900


DeviceMart:
MOSFET N CH 30V 550MA DMN3900


DMN3900UFA-7B中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 0.49 W

阈值电压 0.95 V

输入电容 42.2 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 0.65A

上升时间 7.8 ns

输入电容Ciss 42.2pF @25VVds

额定功率Max 390 mW

下降时间 23.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 390mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN0806-3

外形尺寸

封装 DFN0806-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN3900UFA-7B引脚图与封装图
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DMN3900UFA-7B Diodes 美台 MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900 搜索库存