DMG3415U-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMG3415U-7中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 31 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 550 mV
输入电容 294 pF
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 117 ns
输入电容Ciss 294pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 393 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 国防, 军用与航空, Power Management, Defence, Military & Aerospace, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
DMG3415U-7引脚图与封装图 
DMG3415U-7引脚图
DMG3415U-7封装焊盘图
在线购买DMG3415U-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMG3415U-7 | Diodes 美台 | DMG3415U-7 编带 | 搜索库存 |
替代型号DMG3415U-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMG3415U-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT23-3 P-Channel 20V 4A | 当前型号 | DMG3415U-7 编带 | 当前型号 |
| 型号： SI2399DS-T1-GE3 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.028 ohm, -10 V, -600 mV | DMG3415U-7和SI2399DS-T1-GE3的区别 |
| 型号： PMV65XP 品牌： 恩智浦 封装： SOT23-3 P-CH 20V 2.8A | 功能相似 | P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET | DMG3415U-7和PMV65XP的区别 |