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DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMN3016lss-13 编带

表面贴装型 N 通道 30 V 10.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO


立创商城:
N沟道 30V 10.3A


得捷:
MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO


贸泽:
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vdss 1.5W


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this DMN3016LSS-13 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 2000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10.3A Automotive 8-Pin SO T/R


儒卓力:
**N-CH 30V 10,3A 12mOhm SO-8 **


DMN3016LSS-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 8 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 10.3A

上升时间 16.5 ns

输入电容Ciss 1415pF @15VVds

额定功率Max 1.5 W

下降时间 5.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMN3016LSS-13引脚图与封装图
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